Aurinkokennot hehkutusprosessilla

Alhaisen lämpötilan lämpöhaihdutettu SnO₂-pohjainen elektronien siirtokerros perovskiitti-aurinkokennoille hehkutusprosessilla.

Perovskiitti-aurinkokennot (PSC) edustavat kolmatta sukupolvea aurinkokennoja, jotka käsittävät puolijohde-elektrodin, vastaelektrodin ja elektrolyytin. Perovskiitti-aurinkokennoja (PSC) on tutkittu kattavasti, ja ne ovat johtaneet vaikuttavaan parannukseen lyhyessä ajassa halvempana vaihtoehtona pii-aurinkokennoille niiden korkean energianmuuntotehokkuuden ja alhaisen tuotantokustannuksen vuoksi.

Tinaoksidi (SnO₂) on herättänyt huomiota lupaavana ehdokkaana perovskiitti-aurinkokennojen elektronikuljetusmateriaalille, koska se voidaan helposti käsitellä alhaisella hehkutuslämpötilalla ja liuosprosessointimenetelmällä. SnO 2 -elektronisiirtokerroksen (ETL) valmistuksessa tavanomaisella liuosmenetelmällä on kuitenkin hyvin vaikeaa lisätä substraatin kokoa liuoksen käsittelymenetelmällä tai kaupallistaa sitä.

Tässä työssä raportoimme SnO₂-pohjaisen elektroninsiirtokerroksen aurinkosähköominaisuudet lämpöhaihdutusprosessimenetelmällä valmistetuille perovskiitti-aurinkokennoille (PSC). Saostuneen Sn02-kerroksen ja lämpöhaihduttimen tiedetään olevan kristallografisesti stabiili.

Tämän ongelman ratkaisemiseksi teimme hehkutusprosessin suhteellisen alhaisessa lämpötilassa (alle 200 ° C). Tämän seurauksena voimme vahvistaa optimaalisen hehkutuslämpötilan ja voimme osoittaa PSC: t, joissa on termisesti kerrostunut SnO2 kompaktina elektroninsiirtokerroksena alhaisen lämpötilan hehkutusprosessin kautta. Se edistäisi uusia mahdollisuuksia perovskiitti-aurinkokennojen kaupallistamisessa ja kehittämisessä.